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晶体管
IPD50R399CPATMA1参考图片

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IPD50R399CPATMA1

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库存:6,321(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥11.3678
113.678
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.9891
3994.55
2,500
¥6.1585
15396.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
399 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPD50R399CP SP001117700
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50R399CPATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:9420
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:6443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3545
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power SW
1:¥26.5889
10:¥23.7413
100:¥21.5943
250:¥19.5151
参考库存:3552
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
1:¥17.6732
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:3702
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