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晶体管
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STF28N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥39.0302
39.0302
10
¥33.1994
331.994
100
¥28.7359
2873.59
250
¥27.2782
6819.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF28N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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24,000:查看
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