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晶体管
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FDG6320C

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.469
146.9
1,000
¥1.09836
1098.36
3,000
¥0.95259
2857.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6320C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
FET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.2 S, 0.12 S
下降时间
4.5 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns, 9 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
FDG6320C_NL
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG6320C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24517
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2659
参考库存:4387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
参考库存:24522
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24525
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:6915
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