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晶体管
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FS100R07N3E4

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
335 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R07N3E4BOSA1 SP000843736
商品其它信息
优势价格,FS100R07N3E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:6328
晶体管
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:7108
晶体管
MOSFET N-channel 800 V MDMesh
1:¥46.4882
10:¥42.036
25:¥40.0359
100:¥34.804
参考库存:2942
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
4,800:¥9.2208
9,600:查看
参考库存:5644
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.8564
10:¥59.551
25:¥56.7825
100:¥49.2567
参考库存:2706
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