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晶体管
TPCA8128,LQ(CM参考图片

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TPCA8128,LQ(CM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
3,000
¥4.1923
12576.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
产品
Power MOSFET
系列
TPCA8128
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
135 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
390 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:7825
PBSS5350T,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 2A LO VCESAT
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:12134
2N4416A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
1:¥75.3823
10:¥61.7771
100:¥51.3246
500:¥46.7933
参考库存:4145
FP10R06W1E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥225.9887
5:¥223.6835
10:¥208.4624
25:¥199.0947
参考库存:3293
2SC5488A-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:11289
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