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晶体管
BC 807U E6327参考图片

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BC 807U E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.05994
105.994
1,000
¥0.81473
814.73
3,000
¥0.62263
1867.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-74-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
500 mA
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC807
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC807UE6327HTSA1 BC87UE6327XT SP000012395
商品其它信息
优势价格,BC 807U E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:4602
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 65A
1:¥294.3763
5:¥287.8449
10:¥274.703
25:¥263.177
参考库存:4619
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
3,000:¥5.8421
参考库存:8105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.0566
参考库存:6883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:8655
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