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晶体管
IPB80N04S3-06参考图片

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IPB80N04S3-06

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T
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库存:3,173(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1077
710.77
500
¥6.2828
3141.4
1,000
¥4.9607
4960.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB80N04S306ATMA1 IPB8N4S36XT SP000254822
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80N04S3-06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET SS SOT23 JFET XSTR SPCL
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.3899
1,000:¥1.04525
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.84524
参考库存:21928
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:5656
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:9321
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150W
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.984
250:¥17.9783
参考库存:1828
晶体管
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench
1:¥33.6514
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
500:¥21.131
参考库存:2353
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