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晶体管
FDBL9406-F085参考图片

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FDBL9406-F085

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库存:18,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.9048
4226.2
2,000
¥12.1362
24272.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.48 mm
系列
FDBL9406_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
FDBL9406_F085
单位重量
850.050 mg
商品其它信息
优势价格,FDBL9406-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
156:¥65.9242
312:¥62.6246
624:¥58.6244
1,092:¥53.788
参考库存:31924
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
2,500:¥1.8419
5,000:¥1.7176
10,000:¥1.6498
25,000:¥1.5933
50,000:¥1.5255
参考库存:31927
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA
1,600:¥5.7065
参考库存:31930
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:31933
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
2,500:¥5.5596
5,000:¥5.3562
10,000:¥5.1528
参考库存:11583
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