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晶体管
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CGHV60040D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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10
¥301.0546
3010.546
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
3.2 A
输出功率
40 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
Dual
高度
100 um
长度
1800 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60040D-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60040D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC144TMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC144TMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:11688
RS1E280GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.4014
100:¥4.1471
500:¥3.6612
2,500:¥2.5651
10,000:查看
参考库存:4202
FQA27N25
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥22.826
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:1857
SCT2280KEC
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:2434
NGTB30N65IHL2WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/30A FAST IGBT FSII T
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:1830
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