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晶体管
IRLR024NTRRPBF参考图片

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IRLR024NTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
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库存:6,002(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.825
8475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
74 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
零件号别名
SP001553142
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR024NTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual 20V P channel MOSFET
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9323
参考库存:31094
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:31097
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
800:¥21.0519
2,400:¥20.0575
参考库存:31100
晶体管
IGBT 模块
1:¥251,518.0668
参考库存:31103
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥640.4614
参考库存:31106
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