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晶体管
STU10N60M2参考图片

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STU10N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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库存:6,001(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
560 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU10N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.5 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU10N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:5824
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
参考库存:4485
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
参考库存:3192
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:7294
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:3482
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