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晶体管
STGF7NC60HD参考图片

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STGF7NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
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数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.1474
101.474
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF7NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF7NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:9143
晶体管
MOSFET N Ch 55V 3.2 120A Pwr MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
参考库存:2990
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:13581
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
1:¥15.7522
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2025
晶体管
MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,500:¥4.3957
9,000:查看
参考库存:2651
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