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晶体管
FDMD8560L参考图片

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FDMD8560L

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库存:9,398(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
3,000
¥12.2944
36883.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power 5 x 6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms, 5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
92 nC, 92 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMD8560L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
98 S, 98 S
下降时间
11 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns, 57 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 20 ns
单位重量
94.850 mg
商品其它信息
优势价格,FDMD8560L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.4579
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:9957
晶体管
MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2885
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:5865
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:7144
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.09158
参考库存:9400
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:8685
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