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晶体管
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STT4P3LLH6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L package
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STT4P3LLH6
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.2 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
商品其它信息
优势价格,STT4P3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
参考库存:28911
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:28914
晶体管
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10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
参考库存:28917
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
4,800:¥6.5201
9,600:¥6.2602
参考库存:28920
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
60:¥732.5112
参考库存:28923
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