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晶体管
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CSD18533Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MSFT, CSD18533Q5
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6444
664.44
500
¥5.876
2938
2,500
¥4.1132
10283
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18533Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
122 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18533Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥115.034
200:¥104.8075
500:¥98.0501
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暂无价格
参考库存:39383
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1,000:¥10.7576
2,500:¥10.2152
参考库存:39386
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