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晶体管
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FDB86569-F085

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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.3789
3689.45
800
¥6.1133
4890.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
10.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB86569_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FDB86569_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FDB86569-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC5144E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:42452
2N3838
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥426.1569
2:¥414.6309
5:¥403.1049
10:¥391.5789
参考库存:42455
RJH60M2DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.7412
10:¥19.436
25:¥17.515
50:¥16.7466
参考库存:42458
NVMFS5C442NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.2205
9,000:¥3.1075
24,000:¥3.0058
参考库存:42461
2SA1774EBTLP
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin EMT3F T/R
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:42464
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