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晶体管
BSS215P H6327参考图片

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BSS215P H6327

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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
- 3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS215
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.5 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSS215PH6327XT BSS215PH6327XTSA1 SP000928938
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS215P H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1.5A Transistor
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
2,000:¥1.5255
参考库存:6061
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:21667
晶体管
MOSFET PT8PZ 30/25V VIS W/ 2X2
1:¥6.1472
10:¥5.085
100:¥3.277
1,000:¥2.6329
3,000:¥2.2261
参考库存:16860
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥270.3186
5:¥256.8038
10:¥250.0351
25:¥229.8307
参考库存:2961
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:243067
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