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晶体管

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APTGT600U120D4G

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数量单价合计
1
¥1,609.4138
1609.4138
5
¥1,569.683
7848.415
10
¥1,531.9636
15319.636
25
¥1,476.2546
36906.365
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.5 kW
封装 / 箱体
D4-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
350 g
商品其它信息
优势价格,APTGT600U120D4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1A NPN low VCE sat (BISS) transi
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
5,000:¥0.62263
参考库存:5728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:7015
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:5095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
2,000:¥0.46104
参考库存:15344
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20775
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