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晶体管
APT100GN60LDQ4G参考图片

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APT100GN60LDQ4G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存：1,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥113.8023
113.8023
10
¥103.4289
1034.289
25
¥95.6658
2391.645
50
¥90.4452
4522.26
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
229 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
229 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
229 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格，APT100GN60LDQ4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGF20NB60S
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 N Ch 13A-600V
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
参考库存:5693
MRF24300-1STG
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300-1STG
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:18920
BC807-16LZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
30,000:¥0.13108
60,000:¥0.11526
120,000:¥0.09266
参考库存:18923
2PB1219AR,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:18926
PMPB43XPEAX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220
3,000:¥1.02943
12,000:¥0.9605
27,000:¥0.90626
51,000:¥0.88366
102,000:¥0.85315
参考库存:18929
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