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晶体管
IRFH5010TRPBF参考图片

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IRFH5010TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC
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库存:7,066(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2433
3621.65
4,000
¥5.3901
21560.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
206 S
下降时间
8.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SP001560282
商品其它信息
优势价格,IRFH5010TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.7346
500:¥2.0001
30,000:¥1.1526
48,000:查看
参考库存:12741
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.8702
500:¥2.1018
3,000:¥1.4351
6,000:查看
参考库存:10285
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V 500mA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,000:¥0.99892
参考库存:5367
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:5098
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:7369
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