| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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260:¥47.1775
520:¥42.8722
1,040:¥38.5782
2,080:¥37.7307
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参考库存:51683
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:50913
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥1,301.6696
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参考库存:50886
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射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
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20,000:¥1.582
40,000:¥1.5594
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参考库存:50096
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
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50:¥2,575.1344
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参考库存:49687
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
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50:¥4,765.0744
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参考库存:31827
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射频放大器 A2I20H060GN/FM15F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥452.2034
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参考库存:31821
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥892.8808
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参考库存:31809
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:31696
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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150:¥882.5865
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参考库存:31690
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射频放大器 MMRF2005N/FM16F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥399.342
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参考库存:31687
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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150:¥1,151.7525
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参考库存:31663
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,328.9396
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参考库存:31571
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1318N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥610.9571
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参考库存:31529
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:31496
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:31410
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥637.772
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参考库存:31395
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:31356
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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250:¥774.6263
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参考库存:31332
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,786.4492
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参考库存:31175
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