| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 A2I20H080GN/FM15F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥333.6438
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参考库存:31107
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V
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250:¥636.1561
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参考库存:31017
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS
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50:¥2,720.9835
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参考库存:30964
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
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150:¥1,174.2734
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参考库存:30961
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射频放大器 A2I22D050GN/FM15F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥297.755
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参考库存:30952
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥822.7304
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参考库存:30931
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:30805
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
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50:¥2,004.5974
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参考库存:30526
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
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250:¥657.5922
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参考库存:30467
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KGS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,879.5725
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参考库存:30423
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:30390
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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250:¥700.0124
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参考库存:30372
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:30178
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射频放大器 A2I35H060GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥338.1751
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参考库存:30095
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,543.3314
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参考库存:30068
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:30032
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥2,614.7861
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参考库存:29954
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:29811
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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1,000:¥185.7946
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参考库存:29799
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥782.0052
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参考库存:29770
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