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无线和射频半导体
MRF6V2150NBR1参考图片

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MRF6V2150NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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库存:50,913(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥364.0634
182031.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316841528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V2150NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=.5ohm Ct=2.2pF non-Mag MELF
1:¥155.9061
10:¥141.4647
25:¥131.1704
50:¥123.6333
500:¥99.5869
参考库存:1506
无线和射频半导体
调节器/解调器 800 MHz to 2.7GHz Direct I/Q Demodulator
1:¥143.9959
25:¥95.6658
100:¥79.0661
250:¥75.145
参考库存:1365
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.9156
10:¥5.763
100:¥3.7177
1,000:¥2.9719
2,000:¥2.5086
参考库存:3523
无线和射频半导体
射频接收器 RX -116dBm SubG
1:¥12.9837
10:¥12.6786
25:¥12.5204
50:¥12.2944
参考库存:1952
无线和射频半导体
上下转换器 27-34GHz Downconverter
1:¥395.8051
5:¥383.8949
10:¥371.8265
25:¥359.8372
参考库存:1276
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