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无线和射频半导体
MRF8S18210WGHSR3参考图片

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MRF8S18210WGHSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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数量单价合计
250
¥774.6263
193656.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
增益
20 dB
输出功率
50 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NO-880XS-Gull-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1995 MHz
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935310994128
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格，MRF8S18210WGHSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1093
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1:¥35.7306
10:¥33.7305
25:¥32.7361
50:¥31.7304
参考库存:13491
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