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无线和射频半导体
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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库存:31,663(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,151.7525
172762.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-3.8GHz Gain 40dB P1dB 27.8dBm 6 bit
1:¥133.6225
25:¥102.3554
100:¥79.9136
250:¥66.1615
2,500:¥45.7198
参考库存:5084
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Dual Power Freq Synthesizer
1:¥43.4146
10:¥39.1093
25:¥36.8041
50:¥34.578
1,000:¥23.9786
参考库存:6084
无线和射频半导体
调节器/解调器 30MHz to 1300MHz Low Power Direct Quadrature Modulator
1:¥82.7612
25:¥54.9406
100:¥45.4147
250:¥43.1886
参考库存:5162
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz
1:¥427.3886
5:¥414.4727
10:¥401.489
25:¥388.5844
100:¥360.0745
200:¥349.7802
参考库存:43541
无线和射频半导体
射频放大器 1000Mhz CATV LNA
1:¥12.3735
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7461
3,000:¥4.7347
参考库存:5158
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