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无线和射频半导体
AFV141KGSR5参考图片

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AFV141KGSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
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数量单价合计
50
¥3,786.4492
189322.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230GS-4L-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935318921178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,AFV141KGSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:42444
无线和射频半导体
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10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
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无线和射频半导体
调节器/解调器 CDMA If VGAs & I/Q Demodulator w/VCO
1:¥69.0769
10:¥65.2349
25:¥52.1721
50:¥49.5618
2,500:¥31.5044
参考库存:42449
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC
1:¥46.104
10:¥41.6518
25:¥39.7308
100:¥34.4989
参考库存:42452
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2.5 and 6GHz DPDT 802.11a/b/g/n/ac
1:¥9.7632
10:¥7.4015
100:¥5.3788
500:¥4.5765
10,000:¥3.3674
参考库存:14002
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