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分立半导体
SSM3J118TU,LF参考图片

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SSM3J118TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
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库存:52,179(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J118TU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J118TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.9493
参考库存:4963
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥5.2997
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.8984
参考库存:7065
分立半导体
MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
1:¥45.7989
10:¥38.8833
100:¥33.7305
250:¥31.9677
500:¥28.7359
参考库存:2070
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥5.6048
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4182
3,000:¥2.4182
参考库存:5069
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1884
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
参考库存:2571
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