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分立半导体
STP10NK80Z参考图片

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STP10NK80Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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数量单价合计
1
¥26.5889
26.5889
10
¥22.5887
225.887
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.5998
4649.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP10NK80Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
9.6 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STP10NK80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双向可控硅 TRIAC
暂无价格
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200:¥112.7288
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250:¥62.0144
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100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:33589
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