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分立半导体
IPG20N06S4L26AATMA1参考图片

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IPG20N06S4L26AATMA1

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库存:8,895(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.2828
62.828
100
¥4.8251
482.51
500
¥4.2601
2130.05
5,000
¥2.9945
14972.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms, 21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
20 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns, 1.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
IPG20N06S4L-26A SP001023848
单位重量
98.500 mg
商品其它信息
优势价格,IPG20N06S4L26AATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
1:¥67.3932
10:¥60.8618
25:¥58.0933
100:¥50.4093
参考库存:9070
分立半导体
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:17403
分立半导体
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:58571
分立半导体
整流器 Diode, 1 Amp
1:¥11.6842
5:¥11.3678
10:¥11.30
25:¥10.6785
50:¥10.2943
参考库存:3461
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
参考库存:13281
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