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分立半导体
IGW75N60H3参考图片

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IGW75N60H3

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:5,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.5564
545.564
25
¥52.0252
1300.63
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N6H3XK SP000906804
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW75N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.6388
500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:7530
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
4,000:¥2.938
参考库存:12210
分立半导体
稳压二极管 5.6Volt 0.2 Watt 2%
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:22487
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:33081
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V IF=350mA IR=12uA
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:73211
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