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分立半导体
BSC123N10LS G参考图片

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BSC123N10LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存：6,814(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
1,000
¥6.2715
6271.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
71 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
49 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N1LSGXT SP000379612
商品其它信息
优势价格，BSC123N10LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S70YR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1600V 70A REV Leads Std. Recovery
200:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.7662
1,000:¥64.0032
参考库存:24120
MURT30020
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
25:¥747.3481
50:¥731.9801
100:¥705.6172
参考库存:24123
CMPZ5245B BK
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 350mW 15V Zener Single Diode
7,000:¥1.2769
14,000:¥1.1865
28,000:¥1.13
56,000:¥1.09836
参考库存:24126
ST02-140F1-5053
Shindengen
分立半导体
稳压二极管 Power Zeners Trankillers
2,000:¥3.5256
10,000:¥3.2996
24,000:¥2.8702
参考库存:24129
GBPC50005W
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 50 V - 50 A
1,000:¥25.5154
2,500:¥24.2046
参考库存:24132
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