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分立半导体
2SJ168TE85LF参考图片

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2SJ168TE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.4353
54.353
100
¥3.503
350.3
1,000
¥2.8024
2802.4
3,000
¥2.3617
7085.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
2SJ168
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
12 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9660-100A,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
800:¥3.2996
参考库存:9856
S10WB60-5000
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=600 IFSM=170
1:¥34.352
10:¥29.6625
100:¥26.5098
250:¥24.747
参考库存:19390
APT25GR120SD15
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥72.772
10:¥65.4722
25:¥59.6301
100:¥53.8671
参考库存:19393
MMBZ5239BTS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 9.1V
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:19396
SBRT05U10LP-7B
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rect
3,000:¥1.01474
10,000:¥1.01474
参考库存:19399
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