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分立半导体
FDG6301N-F085参考图片

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FDG6301N-F085

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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥0.99892
2996.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
系列
FDG6301N_F085
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDG6301N_F085
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG6301N-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
2,500:¥3.6951
10,000:查看
参考库存:34434
分立半导体
MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥40.6461
10:¥33.7305
100:¥27.7415
250:¥26.894
500:¥24.1255
3,000:¥24.1255
参考库存:4640
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,215.4554
2:¥2,162.1194
5:¥2,139.1465
10:¥2,108.4105
参考库存:3768
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
3,000:¥3.5934
参考库存:45751
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
参考库存:4442
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