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分立半导体
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2SCR562F3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3392
43.392
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2374
2237.4
3,000
¥1.8871
5661.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
270 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
500
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SCR562F3
商品其它信息
优势价格，2SCR562F3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP19,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
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T2G6001528-Q3
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:2194
TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:查看
参考库存:2320
U309
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 20mA 500mW 4mW
1:¥84.8291
10:¥71.303
100:¥65.6191
250:¥59.8561
参考库存:2391
STL73
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:6994
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