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分立半导体
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FF400R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,217.1456
1217.1456
5
¥1,187.7882
5938.941
10
¥1,158.363
11583.63
25
¥1,142.0684
28551.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KE3HOSA1 SP000100781
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P35S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:2640
FP150R12KT4_B11
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:2572
SUM50020E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:3350
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:2784
PMCM4401UNEZ
Nexperia
分立半导体
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:5179
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