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分立半导体
FF400R12KE3参考图片

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FF400R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,217.1456
1217.1456
5
¥1,187.7882
5938.941
10
¥1,158.363
11583.63
25
¥1,142.0684
28551.71
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KE3HOSA1 SP000100781
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
参考库存:4194
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery Diode
1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
2,500:¥1.09158
参考库存:12755
分立半导体
双向可控硅 16 Amp 600 Volt
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5086
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
参考库存:5109
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:16135
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