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分立半导体
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FF400R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,217.1456
1217.1456
5
¥1,187.7882
5938.941
10
¥1,158.363
11583.63
25
¥1,142.0684
28551.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KE3HOSA1 SP000100781
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ19D10/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:34195
JANTXV1N4616UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥111.418
130:¥111.418
200:¥101.587
500:¥95.0556
1,000:¥87.1343
参考库存:34198
JANTX1N4619UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥112.5706
200:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:34201
JAN1N4971US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥91.7447
250:¥83.5974
500:¥78.2186
1,000:¥71.7663
参考库存:34204
JANS1N6354US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.1542
200:¥134.0858
500:¥127.6335
参考库存:34207
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