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分立半导体
NTJD1155LT1G参考图片

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NTJD1155LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
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库存:32,730(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.9605
960.5
3,000
¥0.82264
2467.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD1155L
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格,NTJD1155LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 Hi temp 12A 双向可控硅
1:¥14.5205
10:¥11.6842
100:¥10.5316
250:¥9.2999
参考库存:2456
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCW66H/SOT23/TO-236A
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
参考库存:170301
分立半导体
整流器 600V High Voltage BC2 3A IF Rectifier
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1809
参考库存:3817
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9101
500:¥8.6784
2,500:¥6.7348
5,000:查看
参考库存:9717
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:1980
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