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分立半导体
NTJD1155LT1G参考图片

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NTJD1155LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
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库存：32,730(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.9605
960.5
3,000
¥0.82264
2467.92
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD1155L
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格，NTJD1155LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TFZVTR5.6B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:8987
IPI45N06S4L08AKSA3
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
参考库存:4037
BAV116WS-7
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 85Vrrm SS Diode 60Vr 500mA 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:24954
CD123D-B140R
Bourns
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SOD123 40V 1A
1:¥3.2318
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1978
3,000:¥0.75258
9,000:查看
参考库存:12060
SE70PJHM3_A/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 7A, 600V, SMPC, ESD PROTECTION
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
1,500:¥2.8815
参考库存:4130
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