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射频晶体管
BFR 193W H6327参考图片

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BFR 193W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
900 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193WH6327XT BFR193WH6327XTSA1 SP000734404
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 193W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T19H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T19H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥855.6134
参考库存:15578
PTVA120501EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥640.4614
50:¥640.4614
参考库存:15581
CGHV1J006D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
10:¥245.2778
参考库存:2193
MMRF1312HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:2087
MRFG35003N6AT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
1:¥103.4289
10:¥95.0556
25:¥90.8972
100:¥80.2978
1,000:¥63.619
参考库存:3022
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