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射频晶体管

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AGR19030EF

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数量单价合计
1
¥424.541
424.541
5
¥389.5788
1947.894
10
¥349.622
3496.22
25
¥309.6652
7741.63
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,AGR19030EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:17851
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥15.142
10:¥13.9103
25:¥12.5995
100:¥11.3678
1,000:¥8.5315
参考库存:6760
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:11466
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:23451
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
1:¥4.0002
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:7369
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