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射频晶体管
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D1015UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-400MHz SE
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数量单价合计
50
¥993.7672
49688.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
125 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DH
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
30.48 mm
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
19.17 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
350 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1015UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:5276
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:15690
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5255
参考库存:5997
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
1:¥18.6676
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:3487
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥865.8286
10:¥836.9458
25:¥808.1308
50:¥779.2367
100:¥747.7323
参考库存:15697
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