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射频晶体管
PXFC192207FH-V3-R250参考图片

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PXFC192207FH-V3-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:15,011(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥823.8039
205950.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
20.5 dB
输出功率
220 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37288G-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1990 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PXFC192207FH-V3-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:18182
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4767
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥914.396
参考库存:18187
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
参考库存:18190
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,333.9424
5:¥1,304.133
10:¥1,277.465
25:¥1,258.6392
250:¥1,185.6412
参考库存:4705
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