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射频晶体管
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VRF2933

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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1
¥860.608
860.608
2
¥833.8722
1667.7444
5
¥833.6349
4168.1745
10
¥806.7409
8067.409
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
42 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA123501EC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:17581
0405SC-100M
Microchip / Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥3,613.5592
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MMRF1016HR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1016H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,730.9792
5:¥1,692.401
10:¥1,657.7439
25:¥1,633.3133
50:¥1,573.9883
参考库存:17587
CGH55030F1
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
参考库存:4100
D2082UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
参考库存:17592
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