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射频晶体管
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NPT2022

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥988.7726
988.7726
2
¥961.4944
1922.9888
5
¥939.4481
4697.2405
10
¥912.0117
9120.117
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
24 mA
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
商品其它信息
优势价格，NPT2022的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR93AE6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:19365
3321
Adafruit
射频晶体管
显示开发工具 Adafruit Mini Color TFT with Joystick FeatherWing
1:¥191.7158
参考库存:2389
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:3343
AFT26H200W03SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
150:¥892.8808
参考库存:15763
PTFB091507FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥518.67
参考库存:15766
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