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射频晶体管
STAC1011-350F参考图片

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STAC1011-350F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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¥1,202.2409
57707.5632
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
输出功率
370 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
系列
STAC1011
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1440 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
144
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC1011-350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU2840V
MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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参考库存:17932
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