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射频晶体管
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BLW98

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数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
2 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-122A
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
21.5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLW98的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T27S020GNR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
1:¥201.479
5:¥198.4054
10:¥185.7946
25:¥167.0479
500:¥144.075
参考库存:16192
MMRF1317HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317HS/CFM4F///REEL 13
50:¥4,328.9396
参考库存:16195
BF 998 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:8899
NE97733-T1-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 PNP High Frequency
暂无价格
参考库存:16200
BFP 540FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.4577
参考库存:6289
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