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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S16
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	5 V
发射极 - 基极电压 VEBO	2 V
集电极连续电流	60 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	10 V
直流电流增益 hFE 最大值	140
工作频率	4 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	UHF Band Oscillator and Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	100 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

优势价格，MT3S16U(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PD57018-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	1:¥249.0407 5:¥246.4304 10:¥229.6725 25:¥219.3782	参考库存:4968
ARF1510	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥1,529.1951 2:¥1,492.391 5:¥1,470.5594 10:¥1,449.7448	参考库存:4793
D5030UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-50V-175MHz SE	50:¥2,037.4917	参考库存:18288
MS2209	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	1:¥2,140.1522 5:¥2,077.2112 10:¥1,947.2047 25:¥1,900.8634	参考库存:18291
QPD1017	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET	18:¥4,072.52	参考库存:18294