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射频晶体管
STAC1011-350参考图片

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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格,STAC1011-350的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
50:¥121.7123
100:¥107.576
250:¥100.0502
500:¥93.0555
参考库存:1500
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W
1:¥1,530.4946
5:¥1,496.3799
10:¥1,465.8021
25:¥1,444.1287
50:¥1,391.7306
参考库存:14903
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
500:¥14.6787
参考库存:2212
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:14908
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:4368
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