您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
BLV33参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BLV33

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:15,216(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥898.1014
898.1014
10
¥824.109
8241.09
25
¥739.585
18489.625
50
¥655.061
32753.05
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
12.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-147
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
132 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV33的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:4772
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:17752
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.6894
10:¥1.7515
100:¥0.82264
500:¥0.62263
3,000:¥0.3842
参考库存:9379
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
1:¥3,276.2994
参考库存:4257
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:12597
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们