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射频晶体管
MRF6V10010NR4参考图片

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MRF6V10010NR4

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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数量单价合计
1
¥502.9969
502.9969
5
¥492.3184
2461.592
10
¥473.1084
4731.084
25
¥457.8873
11447.1825
100
¥424.315
42431.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
100 V
增益
25 dB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
960 MHz to 1400 MHz
系列
MRF6V10010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935321297531
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格，MRF6V10010NR4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:10552
2729-170
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
20:¥2,587.361
参考库存:18169
CGH40120P
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
250:¥2,165.8145
参考库存:18172
TGF2023-2-02
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100:¥291.766
300:¥274.2397
参考库存:5074
MRF426
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:4686
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