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射频晶体管

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MRF314

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1
¥437.988
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10
¥364.99
3649.9
25
¥328.491
8212.275
50
¥291.992
14599.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT1004GNR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
250:¥853.15
参考库存:18019
0405SC-1500M
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥13,766.4962
参考库存:18022
PH1090-550S
MACOM
射频晶体管
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PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:18028
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NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
1,000:¥61.5511
参考库存:5018
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