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射频晶体管
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AFM907NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
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数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥18.0574
180.574
25
¥16.3624
409.06
100
¥14.7578
1475.78
1,000
¥11.0627
11062.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
9.8 S
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
65.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V , 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935346918515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU710F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:6623
A3T18H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥873.7499
参考库存:16644
VRF2933MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:3154
BFR843EL3E6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.5255
参考库存:15127
MRF8S18210WHSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
250:¥774.6263
参考库存:16651
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